在半导体材料革命的第三次浪潮中，以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体已进入产业化阶段。而磷化铟（InP）作为第三代半导体家族的重要成员，正在全球科技竞争中崭露头角。中国科学院微电子研究所最新发布的0.13μm磷化铟HEMT工艺验证报告显示，其射频器件截止频率突破800GHz，这一突破标志着我国在超高频半导体领域取得重要进展。