晶体生长炉——半导体长晶设备

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结合丰富的晶体生长经验及光学、机械、电子等领域的专业经验,我公司研发了用于晶体生长的感应加热炉。

晶体生长炉——半导体长晶设备

感应加热炉

参数

控制器控制提升机构的提升速度、提升行程和速度

1.提升速度:0.2-10mm/h

2.提升行程:0-500mm

3转速:0.5-40rpm

感应参数:

1.工作电压:380V AC,50/60Hz,三相

2.输出电流:42a(需要100a空气开关)

3.最大输入电流:25 kW

4.振荡频率:30-80 kHz

5.循环率:80%

6.感应线圈:外径150mm x内径140mm x高90mm

7.保护:配备水压、超温、超功率保护

温度控制参数:

工作电压;208~240V交流,单相

采用PID温度控制,可设置30个温升和温降程序

设置超温和电偶断开保护

温度控制精度:+/-3ºC

采用C型热电偶,探头伸入石墨坩埚内

连续工作温度:1000ºC~2000ºC

最大加热速率:10ºC/S(1000ºC-1200ºC)8ºC/S(1200ºC~1500ºC)

炉体尺寸:内径为400mm,高度为700mm

密封法兰

顶部法兰:不锈钢折叠法兰,带1/4“铠装接口(可插入热电偶),安装有顶阀

底部法兰:底部法兰接口为kf25接口,可通过波纹与真空泵连接

定制:可根据客户需求定制选择。

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