硅（Si）基片用途：用作半导体材料，大功率晶体管，整流器，太阳能电池等。
硅（Si）基片主要性能参数
| 晶体结构 | 面心立方 | ||
| 熔点（℃） | 1420 | ||
| 密度 | 2.4（g/cm3） | ||
| 掺杂物质 | 不参杂 | 掺B | 掺P |
| 类 型 | N或P | P | N |
| 电 阻 率 | >1000Ωcm | 10-3~40Ωcm | 102~104Ωcm |
| E P D | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 |
| 氧含量（∕cm3） | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 |
| 碳含量（∕cm3） | ≤5×1016 | ≤5×1016 | ≤5×1016 |
| 尺寸 | 10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的基片 |
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| 厚度 | 0.3-0.5mm、1.0mm | ||
| 尺寸公差 | <±0.1mm | ||
| 厚度公差 | <±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm） | ||
| 抛光 | 单面或双面 | ||
| 晶面定向精度 | ±0.5° | ||
| 边缘定向精度 | 2°（特殊要求可达到1°以内） | ||
| 取向 | <100>、<110>、<111>等 | ||
| 包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | ||
核心定义
硅基片是以高纯度单晶硅为核心材料制成的薄片，是半导体器件制造的基础载体，广泛用于集成电路、光电器件等领域16。其晶体结构（如<111>、<100>方向）和表面特性（粗糙度Ra<10Å）直接影响器件性能。
物理特性
化学性质：硅元素符号为Si，化学性质稳定，常温下不溶于水及多数酸，但溶于氢氟酸和强碱15。
晶体结构：分为无定形硅（黑色）和晶体硅（灰黑色），后者为原子晶体，熔点1410℃，硬度高且具备金属光泽。
电学性能：本征硅电阻率高，掺杂后可形成P型或N型半导体，适配不同电子器件需求36。
应用领域
集成电路（IC）：作为微电子产业的基石，承载晶体管、存储器等元件制造，全球90%以上芯片基于硅基片生产。
功率器件：用于制造大功率整流器、MOSFET等，支持高电压、高频率场景35。
光电器件：包括红外光学窗口、太阳能电池衬底等，表面可镀SiO₂、Ti/Pt等功能层以增强性能。
生物芯片：在DNA测序、药物筛选中作为高精度生物分子固定化载体13。
制造工艺
单晶生长：通过提拉法（Czochralski法）或区熔法制备高纯度单晶硅棒，直径可达300mm以上。
晶圆加工：经切割、研磨、抛光等工序制成厚度0.3-0.6mm的薄片，表面粗糙度需控制在纳米级。
表面处理：通过热氧化生成SiO₂层，或沉积金属层（如Ti/Pt）以满足特定器件需求58。
行业地位与趋势
硅基片凭借储量丰富（地壳含量第二）、工艺成熟及成本优势，仍是半导体行业主流材料47。尽管化合物半导体（如GaN、SiC）在高频、高功率领域崛起，硅基片通过工艺创新（如FD-SOI技术）持续扩展应用边界，支撑5G、AI等产业发展。
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