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2025年最新供应磷化铟晶片InP

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磷化铟晶片

一、磷化铟是什么晶体?

作为最重要的化合物半导体材料之一,InP单晶材料是光通信中InP基激光二极管(LD)、发光二极管(led)和光电探测器的关键材料。这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接收等功能。InP还非常适合于高频器件,如高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)。由于其优越的特性,它被应用于光纤通信、无线网络、手机、蓝牙通讯、卫星通讯微波领域、射频电路、微波、毫米波、辐射太阳能电池和异质结晶体管等许多高科技领域。

二、磷化铟的特点及优势?

InP单晶材料的主要生长方法有传统的液封直拉法(LEC)、改进的LEC法和气压控制直拉法(VCZ)/PC-LEC)/垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等;

三、磷化铟的应用领域有哪些?

光通信用InP基激光二极管(LD)、发光二极管(LED)和光电探测器生产的关键材料。
适用于高频器件,如高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)。
应用于光纤通信、无线网络、手机、蓝牙通讯、卫星通讯微波领域,以及射频电路等。
可以在大功率高温度下工作,且性能稳定。

四、磷化铟的性能参数指标;

主要性能参数
单晶 掺杂 导电类型 载流子浓度

cm-3

迁移率(cm2/V.s) 位错密度(cm-2) 标准基片
InP 本征 N (0.4-2)´1016 (3.5-4)´103 £5´104 Φ2″×0.35mm

Φ3″×0.35mm

InP S N (0.8-3)´1018

(4-6)´1018

(2.0-2.4)´103

(1.3-1.6)´103

£ 3´104

£2´103

Φ2″×0.35mm

Φ3″×0.35mm

InP Zn P (0.6-2) ´1018 70-90

 

£ 2´104

 

Φ2″×0.35mm

Φ3″×0.35mm

InP Te N 107-108 ³2000 £3´104 Φ2″×0.35mm

Φ3″×0.35mm

尺寸(mm) Dia50.8×0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度 Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告
抛光 单面或双面
包装 100级洁净袋,1000级超净室

第三代半导体革命:磷化铟工程的全球竞逐与技术突破   goodwafer    何为磷化铟,它有未来吗?磷化铟晶体结构是什么?   

III-V族半导体材料重要成员——磷化铟(InP)