供应磷化铟InP晶片。
尺寸：2寸，3寸，4寸；
表面：单抛、双抛；
厚度：350um、500um、625um等；
阐述：磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点；
应用：制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通信、太阳能电池、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。
产品信息
Growth Method
VGF
Diameter
2inch/3inch/4inch
Type/Dopant
Un
N/S/Sn
P/Zn
Orientation
<100> ±0.5°
Surface
Polished/Etched
Epi-ready
Yes
Package
Cassette or single
Size
2inch
3inch
4inch
Diameter（mm）
50.8±0.3
76.2±0.3
100±0.3
Thickness(um)
350±25
625±25
625±25
OF(mm)
16±2
22±2
32.5±2
IF(mm)
8±2
12±2
18±2
TTV(um)
<10
<15
<15
BOW(um)
<15
<15
<15
Warp(um)
<15
<15
<15
Electrical parameters
Dopant
Conduct Type
Ingot CC(/cm3)
Mobility (cm2/v.s)
Resistivity （Ω·cm）
EPD(/cm3)
Undoped
N
3E16
>1700
/
<5E4
S-InP
N
（0.5~5）E18
（1~4）E3
/
<5E4
Fe-InP
N
（0.1~1）E8
>1700
>1E7
<5E4
Zn-InP
P
(0.6~6）E18
>50
/
<5E4
