一、磷化铟是什么晶体？
作为最重要的化合物半导体材料之一，InP单晶材料是光通信中InP基激光二极管（LD）、发光二极管（led）和光电探测器的关键材料。这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接收等功能。InP还非常适合于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）。由于其优越的特性，它被应用于光纤通信、无线网络、手机、蓝牙通讯、卫星通讯微波领域、射频电路、微波、毫米波、辐射太阳能电池和异质结晶体管等许多高科技领域。
二、磷化铟的特点及优势？
InP单晶材料的主要生长方法有传统的液封直拉法（LEC）、改进的LEC法和气压控制直拉法（VCZ）/PC-LEC）/垂直梯度凝固技术（VGF）/垂直布里奇曼技术（VB）等；
三、磷化铟的应用领域有哪些？
光通信用InP基激光二极管（LD）、发光二极管（LED）和光电探测器生产的关键材料。
适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）。
应用于光纤通信、无线网络、手机、蓝牙通讯、卫星通讯微波领域，以及射频电路等。
可以在大功率高温度下工作，且性能稳定。
四、磷化铟的性能参数指标；
| 主要性能参数 | |||||||
| 单晶 | 掺杂 | 导电类型 | 载流子浓度
cm-3 |
迁移率(cm2/V.s) | 位错密度(cm-2) | 标准基片 | |
| InP | 本征 | N | (0.4-2)´1016 | (3.5-4)´103 | £5´104 | Φ2″×0.35mm
Φ3″×0.35mm |
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| InP | S | N | (0.8-3)´1018
(4-6)´1018 |
(2.0-2.4)´103
(1.3-1.6)´103 |
£ 3´104
£2´103 |
Φ2″×0.35mm
Φ3″×0.35mm |
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| InP | Zn | P | (0.6-2) ´1018 | 70-90
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£ 2´104
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Φ2″×0.35mm
Φ3″×0.35mm |
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| InP | Te | N | 107-108 | ³2000 | £3´104 | Φ2″×0.35mm
Φ3″×0.35mm |
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| 尺寸（mm） | Dia50.8×0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底 | ||||||
| 表面粗糙度 | Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告 |
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| 抛光 | 单面或双面 | ||||||
| 包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | ||||||
第三代半导体革命：磷化铟工程的全球竞逐与技术突破 goodwafer 何为磷化铟，它有未来吗？磷化铟晶体结构是什么？
