-

GaN氮化镓—第三代六方纤锌矿结构半导体材料
GaN 氮化镓属于第三代六方纤
-

CdZnTe碲化镉晶圆-最有前途的室温辐射探测材料。
碲锌镉(CdZnTe,CZT)被认为是最有前途的室温辐射探测材料。相比于闪烁体探测器,它的能量和空…
-

晶体生长炉——半导体长晶设备
结合丰富的晶体生长经验及光学、
-

SiC (6H-SiC,4H-SiC )6寸碳化硅、4寸碳化硅、碳化硅薄膜基片
SiC (6H-SiC,4H-
-
Pt/Ti/SiO2/Si等外延薄膜
经过数十年的发展,薄膜外延生长
-

MgO单晶衬底——广泛应用于许多薄膜技术领域。如磁性薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜的生产
氧化镁(MgO)单晶衬底广泛应用于许多薄膜技术领域。如磁性薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜…
-

YSZ单晶——超导薄膜基片
YSZ(YSZ单晶-YSZ晶体
-

Er:YAG-激光晶体
Er:YAG Er3+:YAG











