一、什么是4H-SIC？
6英寸导电型4H-SiC（碳化硅）衬底是宽禁带半导体材料领域的核心产品之一，广泛应用于高温、高压、高频及高功率器件制造。4H-SiC为六方晶系，具有高热导率（约4.9 W/cm·K）、高击穿场强（约2.8 MV/cm）和宽禁带宽度（3.26 eV）。通常为N型（掺氮或掺磷）或P型（掺铝），电阻率可低至0.015–0.025 Ω·cm（N型）。
二、4H-SIC的产品规格及详细参数
| 产品分级 | 工业级(Product grade) | D级(Dummy grade) | |
| A级(MOS grade) | B级(SBD grade) | ||
| 直径 | (150.0 ± 0.2) mm | ||
| 厚度 | (350 ± 25) μm | ||
| 导电类型 | n-type | ||
| 掺杂元素 | Nitrogen | ||
| 电阻率范围（Ω·cm） | 0.015 – 0.028 | ||
| 表面粗糙度 | ≤ 0.2 nm (Si-face); ≤0.5 nm (C- face) | ||
| 表面粗糙度 | Double-side CMP; Si-face Epi-ready , Ra ≤ 0.2 nm ; C-face Ra ≤ 0.5 nm | ||
| 总厚度变化（TTV） | ≤ 5μm | ≤ 6μm | ≤ 15μm |
| 局部厚度变化（10*10mm2）（LTV） | ≤ 2μm | ≤ 3μm | ≤ 5μm |
| 弯曲度（Bow） | -15μm ~ 15μm | -20μm ~ 15μm | ≤ 40μm |
| 翘曲度（Warp） | ≤ 25μm | ≤ 40μm | ≤ 60μm |
| 表面取向 | 4° toward [11-20] ± 0.5° | ||
| 主参考边取向 | // [11-20] ± 5.0° | ||
| 主参考边长度 | 47.5 mm ± 2.0 mm | ||
| 包装 | 单片或者25片包装 | ||
| X射线半峰宽 | ≤30 arcsec | ≤40 arcsec | ≤60 arcsec |
| 微管密度 | ≤0.1 cm-2 | ≤0.5 cm-2 | ≤5 cm-2 |
| 位错EPD | ≤5000 | ≤8000 | / |
| 位错TSD | ≤150 | ≤300 | / |
| 位错BPD | ≤800 | ≤1200 | / |
| 裂纹（强光灯观察） | 0 | 0 | 0 |
| 六方空洞（强光灯观察） | 0 | 0 | ≤100μm , Qty≤10 |
| 多型区（强光灯观察） | 0 | 0 | Cumulative area ≤5% |
| 碳包裹物（强光灯观察） | 0 | Cumulative area ≤0.05% |
Cumulative area ≤5% |
| 划痕（量测设备测量） | 0 | Cumulative length ≤ 75mm Qty≤ 3ea |
Cumulative length ≤ 225mm |
| 崩边/缺口（日光灯观察） | 0 | 0 | 2 allowed,≤1mm each |
| 表面颗粒（缺陷检测仪） | 0.3um Qty≤ 30ea |
0.3um Qty≤ 300ea |
|
| 表面金属沾污 | ≤5 x 1010 atoms/cm-2 | ≤5 x 1011 atoms/cm-2 | |
| 背面划伤（强光灯观察） | Cumulative length ≤ 75mm |
/ | |
| 表面沾污 （强光灯观察） | 无 | ||
| 边缘去除 | 3mm | ||
