硅片由于其优异的平整度和可靠的光学特性，通常用于真空沉积系统的厚度工具。同时，硅片是制造光电器件的良好衬底候选者。现在也可以使用合适尺寸的晶片切割。
规格
| 项目 | 规格 |
| 方位 | (100)+/-0.5度。 |
| 类型 | 硼掺杂的P型 |
| 直径 | 100毫米 |
| 厚度 | 525 +/- 25 um |
| 电阻率 | 1 ~ 100欧姆-厘米 |
| 表面 | 单面抛光 |
| 包装 | 25个人电脑/包装 |
| 等级 | 测试 |
应用
1.厚度工装
2.器件制造用基板
结构
熔合的元素硅在凝固过程中成为三维长程有序排列的金刚石晶格形式的单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，具有弱电导率，其电导率随温度升高而增加，并具有显著的半电导率。超纯单晶硅是一种本征半导体。P型硅半导体可以通过在超纯单晶硅中加入微量 ⅲ a元素，如硼，形成。若加入微量A元素，如磷或砷也能提高导电程度，形成N型硅半导体。单晶硅通常通过首先生产多晶硅或非晶硅，然后通过直接拉动或悬浮区熔化从熔体中生长棒状单晶硅来制备。单晶硅主要用于制造半导体元件。晶体硅是深蓝色且易碎的，是典型的半导体。化学性质非常稳定。在室温下，它很难与除氟化氢以外的其他物质反应。
生产流程
1) 长晶体，有CZ法 (CZ) 和区域熔化法 (FZ)，因为熔融的多晶材料会直接与石英坩埚接触，使石英坩埚的杂质会污染熔融的多晶，CZ法拉直单晶碳和氧含量相对较高，杂质缺陷较多，但本钱较低，适合拉制大直径 (300毫米) 硅晶片，是目前主要的半导体晶片材料。由于多晶原料不与石英坩埚接触，区熔法拉单晶内部缺陷较少，碳氧含量低，但是价格高，成本高。适用于大功率设备和一些高端产品。
2) 切片，拉制的单晶硅棒需要切掉头部和尾部材料，然后研磨成所需的直径，切掉平坦的边缘或v形槽，然后切成薄硅片。目前通常采用金刚石线切割技术，该技术效率高，硅片翘曲和弯曲程度好。一些特殊形状的碎片将被切割成内圆。
3) 磨削: 切片后，需要通过磨削去除切割表面的损坏层，以确保硅表面的质量，去除约50um。
4) 腐蚀: 腐蚀是为了进一步去除由于切割和研磨而引起的损坏层，从而为下一步的抛光过程做准备。腐蚀通常包括碱腐蚀和酸腐蚀。目前，由于环境保护因素，大多数情况下都采用碱腐蚀。去除腐蚀可达30-40um，表面粗糙度可达微米。
5) 抛光: 抛光是硅片生产的重要工艺。抛光是通过CMP (化学机械抛光) 技术来完成的，以进一步提高硅片的表面质量，以满足芯片生产的要求。抛光后的表面粗糙度通常为Ra & lt; 5A。
6) 清洁和包装: 由于集成电路宽度越来越小，因此对提高粒径指数的要求也越来越高。清洗和封装也是生产硅片的重要工艺。可以通过兆声清洗将其清洗并附着在硅片表面。然后将大部分0.3um以上的颗粒用真空密封或惰性气体包装在插头盒中，而无需清洗，从而使硅片的表面清洁度可以满足集成电路的要求。
单晶硅是一种优良的高纯度半导体材料。要求IC等级的纯度达到9N以上 (99.9999999%)，并且熔合单晶硅片的区域甚至达到11N以上 (99.999999999%)。通常是通过直接拉 (CZ) 和区域熔化 (FZ) 细长晶体获得的，其取向由晶种决定。单晶硅是目前最重要的半导体材料，占半导体材料市场的90% 以上，是信息技术和集成电路的基础材料。
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