经过数十年的发展，薄膜外延生长技术已成为当今电子工业的重要基石，其中硅外延片是制造各种半导体器件的核心材料，它在消费品、工业、军事和空间电子领域都有应用。
目前，在硅衬底上可以制备普通外延层、多层外延层、超高电阻外延层和超厚外延层。外延层的电阻率可达1000欧姆以上。电导率类型为：P/P++，N/N++，N/N+/N++，N/P/P，P/N/N+。
上海鑫科汇新材料有限公司专业提供Pt/Ti/SiO2/Si基片，满足科研可应用需求。
技术规格
Pt 层 : 150 nm
Ti 层 : 20 nm
SiO2 层: 300 nm
基底硅片的规格：
类型/掺杂: P/BS
晶向:<100>+/-0.5degree
尺寸: ∅4” x 0.5 mm
表面处理: 单面抛光
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