6英寸8英寸2英寸1英寸FZ CZ N型抛光硅晶片DSP SiO2晶片氧化硅晶片抛光硅晶片高纯度 (11N) 1-12英寸单和双抛光直拉晶片

抛光硅片高纯度 (11N) 1-12英寸单和双抛光Czochralski晶片
尺寸1 “2” 3 “4” 5 “6” 8 “12” 和特殊尺寸和规格晶片
表面单抛光盘、双抛光盘、磨盘、腐蚀盘、切割盘
晶体取向 <100> <111> <110> <211> <511> 和具有各种偏角的硅晶片
厚度100um 200um 300um 400um 500um 1毫米5毫米和其他厚度，厚度公差 +-10um，

TTV< 10um或根据客户要求，粗糙度 <0.2nm
导电类型N型、P型、未掺杂 (固有高电阻)
单晶法直拉 (CZ)，区熔 (FZ)，NTD (中图)
电阻率再掺杂可达 <0.001 ohm.cm，低掺杂常规1 ~ 10 ohm.com，中轻常规500 ~ 800 ohm.cm，

固有区域熔化: > 1000欧姆.厘米，> 3000欧姆.厘米，> 5000欧姆.厘米，> 8000欧姆.厘米，> 10000欧姆.厘米
工艺参数平整度TIR: ≤ 3μm，翘曲TTV: ≤ 10μm，
Bow/warp ≤ 40μm，粗糙度 ≤ 0.5nm，粒径 <≤ 10ea @ > 0.3 μ)
包装方法超净铝箔真空包装10件，25件
加工定制根据不同的规格和参数，型号、晶体取向、厚度、电阻率等的加工时间略有不同。
应用简介用于工艺、PVD/CVD涂层等同步辐射样品载体、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、
原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基板、分子束外延生长基板、晶体半导体的x射线分析

鑫科汇是半导体强度工厂，专门用于科研实验室设备测试，2-3-4-5-6-8英寸抛光氧化硅晶片，高纯单晶硅涂层电子显微镜科研衬底晶片

具体规格请在下单前咨询店主，有关硅片的任何问题请随时询问。

欢迎所有科研实验室和半导体公司订购，可以收到OEM订单，可以进口硅片。

特别声明: 我公司所有的硅片都是由原生多晶硅提取的单晶硅加工而成，而不是廉价的回收硅片或使用过的重新抛光硅片!报价包括16% 增值税发票。

我们的硅片库存清单 (IC级，拉法CZ)
直拉单面抛光硅片
1英寸 (25.4毫米) 单面抛光直拉晶片厚度500um
2英寸 (50.8毫米) 单面抛光直拉晶片厚度280um
3英寸 (76.2毫米) 单面抛光直拉晶片厚度380um
厚度为500um的4英寸 (100毫米) 单面抛光直拉硅片
5英寸 (125毫米) 单面抛光直拉晶片厚度625um
6英寸 (150毫米) 单面抛光直拉晶片厚度675um

直拉双面抛光硅片
1英寸 (25.4毫米) 双面抛光直拉晶片厚度500um
2英寸 (50.8毫米) 双面抛光直拉晶片厚度280um
3英寸 (76.2毫米) 双面抛光直拉晶片厚度380um

4英寸 (100毫米) 双面抛光直拉晶片厚度500um
5英寸 (125毫米) 双面抛光直拉晶片厚度625um
6英寸 (150毫米) 双面抛光直拉晶片厚度675um
直拉单面抛光超薄硅片

1英寸 (25.4毫米) 单面抛光超薄直拉硅片厚度100um
2英寸 (50.8毫米) 单面抛光超薄直拉硅片厚度100um
3英寸 (76.2毫米) 单面抛光超薄直拉硅片厚度100um
厚度为100um的4英寸 (100毫米) 单面抛光超薄直拉硅晶片

直拉双面抛光超薄硅片
1英寸 (25.4毫米) 双面抛光超薄Czochralski晶片厚度100um
2英寸 (50.8毫米) 双面抛光超薄Czochralski晶片厚度100um
3英寸 (76.2毫米) 双面抛光超薄Czochralski晶片厚度100um
4英寸 (100毫米) 双面抛光超薄Czochralski晶片厚度100um

硅片 (IC级，区熔FZ)
区域熔化单面抛光硅片
单面抛光区域的1英寸 (25.4毫米) 熔合硅片厚度500um
2英寸 (50.8毫米) 单侧抛光区域熔合硅片厚度280um

单侧抛光区域的3英寸 (76.2毫米) 熔合硅片厚度380um
4英寸 (100毫米) 单侧抛光区域熔合硅片厚度500um

区熔双面抛光硅片
双面抛光区域的1英寸 (25.4毫米) 熔合硅片厚度500um
双面抛光区域的2英寸 (50.8毫米) 熔合硅片厚度280um
双面抛光区域中的3英寸 (76.2毫米) 熔合硅片厚度380um
双面抛光区域的4英寸 (100毫米) 熔合硅片厚度500um

区熔单面抛光超薄硅片
1英寸 (25.4毫米) 单面抛光区熔化超薄硅片厚度100um
2英寸 (50.8毫米) 单面抛光区熔化超薄硅片厚度100um
3英寸 (76.2毫米) 单面抛光区熔化超薄硅片厚度100um
4英寸 (100毫米) 单面抛光区熔化超薄硅片厚度100um

区熔双面抛光超薄硅片
1英寸 (25.4毫米) 双面抛光区熔化超薄硅片厚度100um
2英寸 (50.8毫米) 双面抛光区熔化超薄硅片厚度100um

3英寸 (76.2毫米) 双面抛光区熔化超薄硅片厚度100um
4英寸 (100毫米) 双面抛光区熔化超薄硅片厚度100um

产品名称	高品质P型/N型单晶抛光6毫米英寸硅片
直径	150毫米 + 0/-0.5毫米
厚度	500 μ m ± 25μm或客户规格
表面光洁度	双面抛光 (DSP)
掺杂剂	n型: 氮
台视/弓形/经纱	<5μm / <10 μm/< 20 μm
电阻率	0.01 ~ 0.03 Ω × cm
晶体取向	<100> 或 <111>

用于同步辐射样品载体等工艺，以PVD/CVD涂层为基底，磁控溅射生长样品，XRD，SEM，原子力，红外光谱，荧光光谱等分析测试基板分子束外延生长基板x射线分析晶体半导体光刻

订购信息必须包括:
1.电阻率
2.尺寸: 2 “，3”，4 “，5”，其他尺寸可定制
3.厚度
4.单面抛光，双面抛光，不抛光
5.等级: 机械等级、试验等级、质料等级 (正片)
6.导电类型: P型、N型
7.晶体取向
7.掺杂类型: 掺硼、掺磷、掺砷、掺镓、掺锑、未掺杂
8.台视、弓 (正常值 <10um)

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