一、SOI硅片是什么？我们能够提供哪些服务？
我公司可以为客户提供多种规格、高质量的SOI硅片（Silicon On Insulator——绝缘体上硅），适用于客户包括MEMS，功率器件，压力传感器和CMOS集成电路制造的广泛应用。 SOI晶圆为高速和低功耗器件提供了良好的解决方案，被广泛认为是高压和RF器件的新解决方案。 SOI晶圆是一种类似三明治(Sandwitch)的夹层式结构，一共有三层；包括顶层（器件层），中间的埋氧层（为绝缘SiO2层）和底层的衬底（体硅）。 SOI晶圆采用SIMOX法和晶圆键合技术生产而成，从而可以实现更薄更精确的器件层，均匀的厚度均匀和缺陷密度低等目标。可提供直径为2″、3″、4″、5″、6″和8″的SOI晶圆，可选择的宽阔电阻率范围0.001~100,000 ohm-cm，从100nm(1000Å)~300um的宽范围器件层厚度可满足众多客户独特的SOI要求。
基于客户多元化的强劲需求，我们与原厂通力合作，可以为客户提供可定制的SOI晶圆：
》超厚SOI晶圆 》腔体SOI Cavity SOI
》超薄SOI晶圆 》双面SOI Double SOI(DSOI)
》超均匀度SOI晶圆 》多层SOI Multiple SOI
》超平SOI晶圆 》 键合SOI Bonded SOI
二、SOI可定制参数表
| 项目 | 参数 | |
|---|---|---|
| Overall | Wafer Diameter 晶圆尺寸(mm) |
50/75/100/125/150/200mm±25um |
| Bow/Warp 翘曲度(<um) |
<10um | |
| Particles 颗粒度(<ea) |
0.3um<30ea | |
| Flats/Notch 定位边/定位槽 |
Flat or Notch | |
| Edge Exclusion 边缘去除(mm) |
/ | |
| Device Layer 器件层 |
Device-layer Type/Dopant 器件层掺杂类型 |
N-Type/P-Type B/ P/ Sb / As |
| Device-layer Orientation 器件层晶向 |
<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0> | |
| Device-layer Thickness 器件层厚度(um) |
0.1~300um | |
| Device-layer Resistivity 器件层电阻率(ohm•cm) |
0.001~100,000 ohm-cm | |
| Device-layer Particles 器件层颗粒度(<ea) |
<30ea@0.3 | |
| Device Layer TTV 器件层TTV(<um) |
<10um | |
| Device Layer Finish 器件层表面处理 |
Polished | |
| BOX | Buried Thermal Oxide Thickness 埋氧层厚度(um) |
50nm(500Å)~15um |
| Handle Layer 衬底 |
Handle Wafer Type/Dopant 衬底层类型 |
N-Type/P-Type B/ P/ Sb / As |
| Handle Wafer Orientation 衬底晶向 |
<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0> | |
| Handle Wafer Resistivity 衬底电阻率(ohm•cm) |
0.001~100,000 ohm-cm | |
| Handle Wafer Thickness 衬底厚度(um) |
>100um | |
| Handle Wafer Finish 衬底表面处理 |
Polished | |
可根据客户要求，定制目标规格的SOI硅片。
绝缘片(SOI) 单晶硅片 2英寸8英寸硅片单面抛光优质 (正片) N型P型 GoodWafer OkWafer 2916.cn|提供优质SOI硅片
