
氮化镓衬底|氮化镓晶片|Gallium Nitride Substrates|GaN Wafers
以硅(Si)、砷化镓(GaAs)为代表的第一代和第二代半导体材料的高速发展,推动了微电子、光电子技…
半导体行业中衬底 外延片 晶圆片 分别是什么关系?
衬底与外延片晶圆片的关系: 晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。 衬底(substrate)…
氮化镓外延片工艺流程介绍 外延片与晶圆的区别
氮化镓作为第三代半导体材料,具有耐高温、兼容性高、热导率高、宽带隙等优势,在我国应用较为成熟。按照…

ZnO—GaN薄膜的良好衬底
氧化锌(ZnO)是GaN薄膜的良好衬底。它在室温下具有60 meV的大激子结合能和3.73 eV的…












