一、什么是高纯度半绝缘型碳化硅单晶衬底？
高纯半绝缘型碳化硅（SiC）单晶衬底，核心是高纯度（杂质≤ppm 级）+ 超高电阻率（≥10⁷ Ω・cm，常≥10¹⁰ Ω・cm）+ 超低缺陷，主流为4H‑SiC，是 5G 射频、相控阵雷达的核心基底。
二、4H-HPSI碳化硅高纯半绝缘型单晶衬底产品规格书？
| 碳化硅4H-HPSI高纯半绝缘型单晶衬底（2~6英寸） | |||||
| 直径 | 50.8mm-2英寸 | 76.2mm-3英寸 | 100mm-4英寸 | 150mm-6英寸 | 200mm-8英寸 |
| 厚度 | 500μm | ||||
| 表面晶向 | {0001} ± 0.2° | ||||
| 主参考面晶向 | <1-100>±5° | ||||
| 主参考面长度 | 16mm | 22mm | 32.5mm | Notch | Notch |
| 次参考面位置 | Silicon face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.0˚ | N/A | N/A | ||
| 次参考面长度 | 8mm | 11mm | 18mm | N/A | N/A |
| 电阻率 | ≥1E7 Ω·cm | ||||
| 正面状态 | Si-Face：CMP,Ra<0.2nm | ||||
| 反面状态 | C-Face：Optical Polish,Ra<0.5nm | ||||
| 镭刻码面 | Back side：C-Face | ||||
| 总厚度偏差TTV | ≤10μm | ≤15μm | ≤15μm | ≤15μm | ≤20μm |
| 弯曲度BOW | ≤25μm | ≤25μm | ≤30μm | ≤40μm | ≤65μm |
| 翘曲度WARP | ≤30μm | ≤35μm | ≤40μm | ≤60μm | ≤70μm |
| 边缘去除 | ≤3 mm | ||||
三、高纯半绝缘型单晶衬底的关键指标有哪些？
- 尺寸：2/4/6 英寸（主流 6 英寸，8/12 英寸在研）。
- 厚度：350–500 μm（标准 500±25 μm）。
- 晶向：{0001}±0.2°，偏角≤0.5°。
- 微管密度（MPD）：＜0.5–1 cm⁻²（高端＜0.1 cm⁻²）。
- 螺位错密度（TSD）：＜50 cm⁻²，极低缺陷。
- 表面粗糙度：Ra＜0.3 nm（Epi-ready 抛光）。
- TTV（总厚度偏差）：≤10–15 μm；BOW≤40 μm；WARP≤30 μm。
四、半绝缘型单晶衬底与导电型单晶衬底的区别对比表？
| 参数 | 高纯半绝缘型（4H‑HPSI） | 导电型（4H‑N） |
|---|---|---|
| 电阻率 | ≥10⁷ Ω・cm（射频≥10¹⁰） | 15–30 mΩ·cm |
| 掺杂 | 高纯无掺 / 钒掺杂 | N 型（氮） |
| 核心应用 | 5G 射频、相控阵雷达 | 功率器件（MOSFET/SBD） |
| 关键要求 | 高阻、低寄生、高纯度 | 低阻、高导热、低缺陷 |
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