以 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSb,InNAsSb等异质结材料,制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 ,制作中红外量子级联激光器。.这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景.此外, InAs 单晶具有很高的电子迁移率 ,是一种制作 Hall 器件的理想材料。作为单晶衬底 , InAs 材料需要具备低的位错密度、 良好的晶格完整性、 合适的电学参数和较高的均匀性. InP单晶材料的主要生长方法是传统液封直拉技术（LEC）。
晶体 | 结构 | 晶向 | 熔点 oC | 密度 g/cm3 | 禁带宽度 |
InAs | 立方, a=6.058 A | <100> | 942 | 5.66 | 0.45 |
砷化铟(InAs)单晶基片主要性能参数
单晶 | 掺杂 | 导电类型 | 载流子浓度 cm-3 | 迁移率(cm2/V.s) | 位错密度(cm-2) | 标准基片 | |
InAs | 本征 | N | 5*1016 | 2*104 | <5*104 | Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm | |
InAs | Sn | N | (5-20)*1017 | >2000 | <5*104 | Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm | |
InAs | Zn | P | (1-20) *1017 | 100-300 | <5*104 | Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm | |
InAs | S | N | (1-10)*1017 | >2000 | <5*104 | Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm | |
尺寸（mm） | Dia50.8×0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底 | ||||||
表面粗糙度 | Surface roughness(Ra):<=5A 可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告 | ||||||
抛光 | 单面或双面 | ||||||
包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | ||||||
