1. 晶体结构特性方面：
   • 高结晶质量：具有高结晶度，晶格完整且缺陷密度低，如位错、层错等缺陷应尽可能少。低位错密度可以保证外延生长的半导体材料具有良好的晶体质量，从而提高器件的性能和可靠性。例如，在制造高亮度 LED 芯片时，低缺陷密度的蓝宝石衬底能使外延层的晶体质量更高，发光效率更好。
   • 合适的晶向：晶向一致性好，常见的如 C 面（0001）是最为常用的晶向，其对于外延生长的晶体取向和器件性能有重要影响。不同的晶向可能适用于不同的器件应用，需要根据具体需求进行选择。
2. 物理特性方面：
   • 尺寸和厚度精度：
     • 尺寸：满足市场主流需求，通常包括 2 英寸、4 英寸、6 英寸及 8 英寸等规格，并且尺寸精度高，能够与半导体制造设备良好匹配，保证在生产过程中的可加工性和一致性。
     • 厚度：厚度均匀性好，一般要求厚度偏差控制在较小范围内。较厚的衬底可以有效缓解外延过程中因应力集中而造成的外延片翘曲变差的异常，对于大尺寸衬底尤为重要。
   • 平整度：表面平整度高，包括较低的表面粗糙度、弯曲度（BOW）、翘曲度（WARP）等。低平整度可以确保后续外延生长、光刻等工艺的精确进行，提高器件的性能和良率。
   • 高纯度：材料纯度高，杂质含量低。杂质可能会影响衬底的光学、电学和热学性能，甚至会在后续的外延生长过程中引入缺陷，因此需要严格控制杂质含量。
3. 光学特性方面：
   • 高透光性：在可见光和近红外光范围内具有较高的透光率，能够保证光信号的高效传输和接收。这对于光学器件如 LED、激光器、光电探测器等的性能至关重要。
   • 低吸收系数：对光的吸收系数低，减少光在衬底中的损耗，提高器件的光输出效率。
4. 电学特性方面：
   • 良好的电绝缘性：作为衬底材料，需要具有良好的电绝缘性能，以满足半导体器件的电学隔离要求，防止电流泄漏和短路等问题。
   • 合适的电阻率：电阻率应在一定的范围内，以保证在器件制造过程中能够有效地控制电流和电场的分布。
5. 热学特性方面：
   • 较高的热导率：虽然蓝宝石的导热性能相对较差，但仍需要具有一定的热导率，以便在器件工作过程中能够有效地传导热量，降低器件的温度，提高器件的可靠性和寿命。
   • 热稳定性：在高温环境下具有良好的热稳定性，能够承受外延生长等高温工艺过程，且不会因热应力而产生变形、破裂等问题。
6. 化学稳定性方面：在外延生长的温度和气氛中化学性质稳定，不易分解和腐蚀，不会因为与外延材料的化学反应使外延膜质量下降

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