磷化铟衬底选购指南

一、磷化铟衬底该如何进行选择？鑫科汇为您从以下维度做出分析：

（1）：2寸磷化铟的基本参数：

• 尺寸：2 inch (50.8 mm)
• 晶向：(100) ±0.5°（最常用）
• 表面：单面抛光 / 双面抛光
• 边缘：倒角处理，无崩边
• 包装：真空 + 防静电盒

以上为2英寸磷化铟衬底的基本规格，统一必选，也是绝对要说明的参数。

（2）、如果您的磷化铟衬底是用于不同的应用。鑫科汇为你从用途分类做出如下参考：

1）科研级 / 实验级（高校 / 实验室）

• 导电类型：半绝缘 Fe 掺杂
• 电阻率：>1×10⁷ Ω・cm
• 位错密度：EPD ≤5×10⁴ cm⁻²
• 厚度：350–400 μm
• 表面粗糙度：Ra <0.5 nm
• 特点：性价比高，满足常规实验
• 参考价区间：¥16,500 ~ 20,000 / 片

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2）光通信器件级（DFB/EML/APD/ 光模块）

• 导电类型：半绝缘高阻 Fe 掺杂
• 电阻率：>5×10⁷ Ω・cm
• 位错密度：EPD ≤1×10⁴ cm⁻²
• 厚度：350–500 μm
• 平整度 / 翘曲：严格控制，适合外延量产
• 特点：一致性好，良率稳定
• 参考价区间：¥20,000 ~ 25,000 / 片

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3）高频射频 / 毫米波级（雷达 / 卫星通信）

• 导电类型：半绝缘超高阻
• 电阻率：>1×10⁸ Ω・cm
• 位错密度：EPD ≤5×10³ cm⁻²
• 晶向精度：±0.1° 或更高
• 特点：极低缺陷、高均匀性
• 参考价区间：¥25,000 ~ 36,000 / 片

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4）导电型 InP（N 型 / P 型，特殊器件）

• N 型：Si 掺杂，载流子 1e15~1e18 cm⁻³
• P 型：Zn 掺杂，载流子 1e15~1e17 cm⁻³
• 厚度：350–600 μm
• 价格略低于半绝缘高端型号

二、我公司提供的磷化铟衬底通用参数（可支持定做）：

2英寸磷化铟衬底参数表：

参数	半绝缘规格	半导体规格		单位
产品类型	半绝缘	n型(n-type)	P型(p-type)
生长工艺	VGF
掺杂	Fe	S,Sn/Un	Zn
尺寸	2″	2″	2″	inch
晶向	<100>	<100>	<100>
OF/IF	EJ,US	EJ,US	EJ,US
电阻率(常温)	≥0.5×10			ohm.cm
载流子浓度	N/A	(2~8)×10/(1~10)×10	(2~8)×10¹8	cm³
电子迁移率	≥2000	1000~2500/3000~5000	50~100	cm²/v.s
位错密度(均值)	≤2000	≤500/≤5000	≤500	/cm²
激光打标	Upon request	Upon request	Upon request
厚度	350±25			μm
总厚度变化(双面抛光)	≤6	≤6	≤6	μm
总厚度变化(单面抛光)	≤8	≤8	≤8	μm
翘曲度	≤8	≤8	≤8	μm
表面	Polished/Etched	Polished/Etched	Polished/Etched	Sidel
	Polished/Etched	Polished/Etched	Polished/Etched	Side2

  3英寸磷化铟衬底参数表：

参数	半绝缘规格	半导体规格		单位
产品类型	半绝缘	n型(n-type)	P型(p-type)
生长工艺	VGF
掺杂	Fe	S,Sn/Un	Zn
尺寸	3″			inch
晶向	<100>	<100>	<100>
OF/IF	EJ,US	EJ,US	EJ,US
电阻率(常温)	≥0.5×10			ohm.cm
载流子浓度	N/A	(2~8)×10/(1~10)×10	(2~8)×10¹8	cm³
电子迁移率	≥800	1000~2500/3000~5000	50~100	cm²/v.s
位错密度(均值)	≤2000	≤500/≤5000	≤500	/cm²
激光打标	Upon request	Upon request	Upon request
厚度	625±25			μm
总厚度变化(双面抛光)	≤10	≤10	<10	μm
总厚度变化(单面抛光)	≤15	≤15	≤15	μm
翘曲度	≤15	≤15	≤15	μm
表面	Polished/Etched	Polished/Etched	Polished/Etched	Sidel
	Polished/Etched	Polished/Etched	Polished/Etched	Side2

 4英寸磷化铟衬底参数表：

参数	半绝缘规格	半导体规格		单位
产品类型	半绝缘	n型(n-type)	P型(p-type)
生长工艺	VGF
掺杂	Fe	S,Sn/Un	Zn
尺寸	4″	4″	4″	inch
晶向	<100>	<100>	<100>
OF/IF	EJ,US	EJ,US	EJ,US
电阻率(常温)	≥0.5×10			ohm.cm
载流子浓度	N/A	(2~8)×10/(1~10)×10	(2~8)×10¹8	cm³
电子迁移率	≥800	1000~2500/3000~5000	50~100	cm²/v.s
位错密度(均值)	≤2000	≤500/≤5000	≤500	/cm²
激光打标	Upon request	Upon request	Upon request
厚度	650±25			μm
总厚度变化(双面抛光)	≤10	≤10	<10	μm
总厚度变化(单面抛光)	≤15	≤15	≤15	μm
翘曲度	≤15	≤15	≤15	μm
表面	Polished/Etched	Polished/Etched	Polished/Etched	Sidel
	Polished/Etched	Polished/Etched	Polished/Etched	Side2

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