我公司可提供2~4寸氮化镓(GaN)单晶衬底片或外延片，以及提供蓝宝石/硅基2~8寸的GaN外延片。
第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿电场、高饱和电子迁移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。在国防、航空、航天、石油勘探、光存储等领域有着重要应用前景，在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多战略行业可以降低50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减小75%以上，对人类科技的发展具有里程碑的意义。
规格表
| Item 项目 |
GaN-FS-C-U-C50 | GaN-FS-C-N-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
|---|---|---|---|
| Diameter 晶圆直径 |
50.8 ± 1 mm | ||
| Thickness厚度 | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation 晶向 |
C plane (0001) off angle toward M-axis 0.35 ± 0.15° | ||
| Prime Flat 主定位边 |
(1-100) 0 ± 0.5°, 16 ± 1 mm | ||
| Secondary Flat 次定位边 |
(11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm | ||
| Conductivity 导电性 |
N-type | N-type | Semi-Insulating |
| Resistivity (300K) 电阻率 |
< 0.1 Ω·cm | < 0.05 Ω·cm | > 106 Ω·cm |
| TTV 平整度 |
≤ 15 μm | ||
| BOW 弯曲度 |
≤ 20 μm | ||
| Ga Face Surface Roughness Ga面粗糙度 |
< 0.2 nm (polished); | ||
| or < 0.3 nm (polished and surface treatment for epitaxy) | |||
| N Face Surface Roughness N面粗糙度 |
0.5 ~1.5 μm | ||
| option: 1~3 nm (fine ground); < 0.2 nm (polished) | |||
| Dislocation Density 位错密度 |
From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 (calculated by CL)* | ||
| Macro Defect Density 缺陷密度 |
< 2 cm-2 | ||
| Useable Area 有效面积 |
> 90% (edge and macro defects exclusion) | ||
可根据客户要求，定制不同结构的硅基、蓝宝石基、SiC基的GaN外延片。
我们的优势
- 广泛的国际化货源渠道
- 灵活的订货数量
- 深入的增值服务:减薄、外延、划片
GaN氮化镓—第三代六方纤锌矿结构半导体材料 InP、InAs、InSb、GaAs晶圆的特性及应用 硅基片（Si） Goodwafer 砷化镓衬底晶片
