GaN氮化镓—第三代六方纤锌矿结构半导体材料

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GaN

GaN氮化镓—第三代六方纤锌矿结构半导体材料

氮化镓属于第三代六方纤锌矿结构半导体材料。具有禁带宽度大、导热系数高、耐高温、耐辐射、耐酸碱、强度高、硬度高等特点。在高亮度蓝、绿、紫、白光二极管、蓝、紫激光器、抗辐射、高温、高功率微波器件等领域具有广阔的应用潜力和良好的市场前景。

中科瑞晶根据客户需求提供不同规格的氮化镓(GaN)衬底基片。

使用/应用

在高亮度蓝、绿、紫、白光二极管、蓝、紫激光器、抗辐射、高温、高功率微波器件等领域具有广阔的应用潜力和良好的市场前景。

特点/优势

具有禁带宽度大、导热系数高、耐高温、耐辐射、耐酸碱、强度高、硬度高等特点。

  • 参数

    Type Free Standing GaN Substrate GaN on Al2O3

    Composite Substrate

    Item No. FR-U-1010

    FR-U-1015

    FR-N-1010

    FR-N-1015

    FR-SI-1010

    FR-SI-1015

    FR-U-50

    FR-N-50

    FR-SI-50

    FR-U-100

    FR-N-100

     

    GaN-CP-U-50S GaN-CP-U-100S

    GaN-CP-N-50S GaN-CP-N-100S

    Dimensions 10.0×10.5mm2, 10.0×15mm2, Φ50.8mm, Φ100mm, customized
    Thickness 300 ± 25 µm, 350 ± 25 µm, 400 ± 25 µm, customized
    entation C-axis(0001) ± 0.25°
    TTV ≤15 µm
    BOW ≤20 µm
    Conduction Type N-type N-type Semi-Insulating Be customized as the left items.
    Resistivity(300K) <0.5 Ω·cm <0.05 Ω·cm >106 Ω·cm
    Dislocation Density From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2
    Useable Surface Area > 90%
    Polishing Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready

    Back Surface: Fine ground.

    Package Class 100 clean bag, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.
  • 尺寸

    尺寸

    10.0×10.5mm2, 10.0×15mm2, Φ50.8mm, Φ100mm, 可定制。

    厚度

    300 ± 25 µm, 350 ± 25 µm, 400 ± 25 µm, 可定制。

     

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