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2英寸厚度为330um的6H-N碳化硅晶片SiC衬底

什么是碳化硅

合成碳化硅可以利用多种类型的碳化硅原料进行熔炼生产，在半导体行业中，大部分衬底为4H-SiC，并且随着碳化硅市场的发展，6H-SiC的市场份额逐年下降。对于4H-SiC和6H-SiC，其中H代表晶格结构。数字代表原子在晶体结构中的堆叠顺序。

溶解度: 不溶于水，溶于碱液和铁水电子迁移率: ~ 900平方厘米/V·s (所有多态) 磁化率 (χ) : -12.8·10 − 6厘米3/ mol 折射率 (nD) : 2.55 (红外; 所有多型)

规格

4H-N 4英寸直径碳化硅 (SiC) 衬底规范

2英寸直径碳化硅 (SiC) 衬底规范

等级	零MPD等级	生产等级	研究等级	假人等级
直径	100. mm ± 0.38毫米
厚度	350 μ m ± 25μm或500 ± 25um或其他定制厚度
晶片取向	轴上: 4h-semi <0001>± 0.5 °
微管密度	≤ 0厘米-2	≤ 2厘米-2	≤ 5厘米-2	≤ 30厘米-2
电阻率4H-N	0.015 ~ 0.028 Ω • cm
电阻率4h-半	≥ 1E7 Ω·cm
电阻率6H-N	0.02 ~ 0.1 Ω • cm
初级公寓	{10-10}±5.0°
主要平坦长度	18.5毫米 ± 2.0毫米或圆形
次要扁平长度	10.0毫米 ± 2.0毫米
次要平面方向	硅面朝上: 90 ° CW.从素数平 ± 5.0 °
边缘排除	1毫米
台视/弓形/经纱	≤ 10 μm /≤ 10 μm /≤ 15 μm
粗糙度	波兰ra ≤ 1 nm / CMP ra ≤ 0.5 nm
高强度光引起的裂纹	无		1允许，≤ 2毫米	累计长度 ≤ 10毫米，单次长度 ≤ 2毫米
高强度光制六角板	累计面积 ≤ 1%		Cumulative area ≤1%	累计面积 ≤ 3%
高强度光的多型区域	None		累计面积 ≤ 2%	累计面积 ≤ 5%
高强度光刮擦	3划痕至1 × 晶圆直径累积长度		5划痕至1 × 晶圆直径累积长度	5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length
边缘芯片	None		3个允许，每个 ≤ 0.5毫米个	5个允许，每个 ≤ 1毫米个

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6H N型SiC晶片 2英寸6H N型SiC晶片/锭	定制尺寸为2-6英寸

常见问题

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问: 我可以根据需要定制产品吗？

是的，我们可以根据您的需求为您的光学元件定制材料、规格和光学涂层。