什么是碳化硅
合成碳化硅可以利用多种类型的碳化硅原料进行熔炼生产，在半导体行业中，大部分衬底为4H-SiC，并且随着碳化硅市场的发展，6H-SiC的市场份额逐年下降。对于4H-SiC和6H-SiC，其中H代表晶格结构。数字代表原子在晶体结构中的堆叠顺序。
溶解度: 不溶于水，溶于碱液和铁水 电子迁移率: ~ 900平方厘米/V·s (所有多态) 磁化率 (χ) : -12.8·10 − 6厘米3/ mol 折射率 (nD) : 2.55 (红外; 所有多型)
规格
|
财产
|
4H-SiC，单晶
|
6H-SiC，单晶
|
|
晶格参数
|
a = 3.076 c = 10.053
|
a = 3.073 c = 15.117
|
|
堆叠顺序
|
ABCB
|
ABCACB
|
|
莫氏硬度
|
≈9.2
|
≈9.2
|
|
密度
|
3.21g/cm3
|
3.21 g/cm3
|
|
热。膨胀系数
|
4-5 × 10-6/K
|
4-5×10-6/K
|
|
折射率 @ 750nm
|
否 = 2.61
ne = 2.66 |
否 = 2.60
ne = 2.65 |
|
介电常数
|
c ~ 9.66
|
c~9.66
|
|
热导率 (N型，0.02欧姆.cm)
|
a ~ 4.2 W/cm·K @ 298K
c ~ 3.7 W/cm·K @ 298K |
|
|
导热系数 (半绝缘)
|
a ~ 4.9 W/cm·K @ 298K
c ~ 3.9 W/cm·K @ 298K |
a ~ 4.6 W/cm·K @ 298K
c ~ 3.2 W/cm·K @ 298K |
|
带隙
|
3.23 eV
|
3.02 eV
|
|
击断电场
|
3-5 × 106v/cm
|
3-5×106V/cm
|
|
饱和漂移速度
|
2.0 × 105 m/s
|
2.0×105m/s
|
4H-N 4英寸直径碳化硅 (SiC) 衬底规范
2英寸直径碳化硅 (SiC) 衬底规范
|
等级
|
零MPD等级
|
生产等级
|
研究等级
|
假人等级
|
|
直径
|
100. mm ± 0.38毫米
|
|||
|
厚度
|
350 μ m ± 25μm或500 ± 25um或其他定制厚度
|
|||
|
晶片取向
|
轴上: 4h-semi <0001>± 0.5 °
|
|||
|
微管密度
|
≤ 0厘米-2
|
≤ 2厘米-2
|
≤ 5厘米-2
|
≤ 30厘米-2
|
|
电阻率4H-N
|
0.015 ~ 0.028 Ω • cm
|
|||
|
电阻率4h-半
|
≥ 1E7 Ω·cm
|
|||
|
电阻率6H-N
|
0.02 ~ 0.1 Ω • cm
|
|||
|
初级公寓
|
{10-10}±5.0°
|
|||
|
主要平坦长度
|
18.5毫米 ± 2.0毫米或圆形
|
|||
|
次要扁平长度
|
10.0毫米 ± 2.0毫米
|
|||
|
次要平面方向
|
硅面朝上: 90 ° CW.从素数平 ± 5.0 °
|
|||
|
边缘排除
|
1毫米
|
|||
|
台视/弓形/经纱
|
≤ 10 μm /≤ 10 μm /≤ 15 μm
|
|||
|
粗糙度
|
波兰ra ≤ 1 nm / CMP ra ≤ 0.5 nm
|
|||
|
高强度光引起的裂纹
|
无
|
1允许，≤ 2毫米
|
累计长度 ≤ 10毫米，单次长度 ≤ 2毫米
|
|
|
高强度光制六角板
|
累计面积 ≤ 1%
|
Cumulative area ≤1%
|
累计面积 ≤ 3%
|
|
|
高强度光的多型区域
|
None
|
累计面积 ≤ 2%
|
累计面积 ≤ 5%
|
|
|
高强度光刮擦
|
3划痕至1 × 晶圆直径累积长度
|
5划痕至1 × 晶圆直径累积长度
|
5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length
|
|
|
边缘芯片
|
None
|
3个允许，每个 ≤ 0.5毫米个
|
5个允许，每个 ≤ 1毫米个
|
|
推荐产品
|
4H-N型/高纯度SiC晶片/晶锭2英寸4H N型SiC晶片/晶锭
3英寸4H N型SiC晶片 4英寸4H N型SiC晶片/锭 6英寸4H N型SiC晶片/锭 |
4h半绝缘/高纯度SiC晶片
2英寸4h半绝缘SiC晶片 3英寸4h半绝缘SiC晶片 4英寸4h半绝缘SiC晶片 6英寸4h半绝缘SiC晶片 |
|
6H N型SiC晶片
2英寸6H N型SiC晶片/锭 |
定制尺寸为2-6英寸
|
常见问题
问: 运输方式和成本是什么？
(1) 我们接受DHL，Fedex，TNT，UPS，EMS，SF等。
(2) 如果您有自己的express帐户，那就太好了。
问: 如何付款？
(1) 电汇、贝宝、西联汇款、速汇金和
阿里巴巴等的保证付款。
(2) 银行费用: 西联 ≤ USD1000.00)，
T/T -: 超过1000美元，请通过t/t
问: 交货时间是多少？
(1) 对于库存: 交货时间为5个工作日。
(2) 对于定制产品: 交货时间为7至25个工作日。根据数量。
问: 我可以根据需要定制产品吗？
是的，我们可以根据您的需求为您的光学元件定制材料、规格和光学涂层。
2英寸厚度为330um的6H-N碳化硅晶片SiC衬底 碳化硅的六大优势和碳化硅陶瓷的应用？ 碳化硅衬底检验标准是什么？ 4H-N/6H-N,4H/6H-P,SEMI,HPSI,3C 碳化硅衬底
