一、砷化镓晶片是什么？
半导体材料可细分为衬底、靶材、化学机械抛光材料、光刻胶、电子湿化学品、电子特种气体、封装材料等。其中，衬底是半导体材料领域的关键材料之一。砷化镓（GaAs）作为第二代半导体衬底材料的代表，是全球用途最广泛、生产量最大的化合物半导体材料，也是继硅（Si）材料之后最重要的微电子材料之一。由于砷化镓具有本征载流子浓度低、光电特性好、电子迁移率高（是硅的5-6倍）、禁带宽度大（1.43eV，硅为1.1eV）且为直接带隙，容易制成射频器件和光电子器件，用砷化镓制成的射频器件具有高频、性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，能够满足多种场景需求。
我公司根据客户需求，生产2英寸至6英寸砷化镓晶片。分为LED晶片、激光LD晶片、微波晶片。晶片可加工为单面或双面抛光，激光刻字，单片或卡塞包装，开盒即用。
二、砷化镓晶片有哪些应用？
当前，砷化镓广泛应用于智能手机、光纤通信、卫星通讯、LED显示与太阳能电池等领域。砷化镓衬底分为半绝缘型和半导体型，其中半绝缘型砷化镓主要用于制作射频器件，与射频器件相关的芯片多数由镓砷基衬底制造而来，射频芯片是无线通信的核心部件，是天线和基带之间的组件，包括功率、放大器、射频开关、射频滤波器、低噪音放大器等。半导体型砷化镓主要用于制作光电子器件，包括LED、激光器等。随着5G通信、新一代显示(MiniLED、MicroLED)、可穿戴设备等新兴市场的驱动，砷化镓的市场规模正持续扩大。VCSEL芯片先是在2015年被引入苹果手机内，后是逐渐应用到汽车领域，用于监控驾驶员状态、疲劳驾驶等，预计2027年全球市场规模可达40亿美元。
三、砷化镓晶片的主要规格参数。
|
GaAs Single Crystal Certificate of compliance
|
Specifications
QC No：ZGR-ZL-42-01 Serial No：ZG-1181-2023
| Parameter | Customer’s Requirements | Guaranteed / Actual Values | UOM | |
| Growth Method: | VGF | VGF | ||
| Conduct Type: | S-I-N | S-I-N | ||
| Dopant: | Undoped | Undoped | ||
| Diameter: | 50.7±0.1 | 50.7±0.1 | mm | |
| Orientation: | (100)±0.5° | (100)±0.5° | ||
| OF location/length: | EJ [0 –1–1] ±0.5°/16±1 | EJ [0 –1–1] ±0.5°/16±1 | ||
| IF location/length: | EJ [0 –1 1] ±0.5°/ 7±1 | EJ [0–1 1] ±0.5°/ 7±1 | ||
| Ingot CC: | N/A | N/A | /cm | |
| Resistivity: | Min: 1.0 E7 | Min: 1.2 E8 | Max: 3.2 E8 | ohm·cm |
| Mobility: | Min: 4500 | Min:5361 | Max: 6282 | cm2/v.s |
| EPD: | Max: 10000 | Min: 988 | Max: 996 | /cm2 |
| Thickness: | 350±20 | 350±20 | µm | |
| TTV: | Max: 10 | Max: 10 | µm | |
| TIR: | Max: 10 | Max: 10 | µm | |
| Bow: | Max: 10 | Max: 10 | µm | |
| Warp: | Max: 10 | Max: 10 | µm | |
| Edge Rounding: | 0.25 | 0.25 | mmR | |
| Surface Finish– front: | Polished | Polished | ||
| Surface Finish –back: | Etched | Etched | ||
| Epi-Ready: | Yes | Yes | ||
CCT IS AN IATF16949:2016 CERTIFIED COMPANY
我公司提供的其他产品：2-6寸锗片、2-4寸磷化铟衬底、支持定制各种特殊晶向硅片、蓝宝石晶片衬底、2-6寸砷化镓衬底片等。
