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我公司可以为客户提供多种规格、高质量的SOI硅片（Silicon On Insulator——绝缘体上硅），适用于客户包括MEMS，功率器件，压力传感器和CMOS集成电路制造的广泛应用。 SOI晶圆为高速和低功耗器件提供了良好的解决方案，被广泛认为是高压和RF器件的新解决方案。 SOI晶圆是一种类似三明治(Sandwitch)的夹层式结构，一共有三层；包括顶层（器件层），中间的埋氧层（为绝缘SiO2层）和底层的衬底（体硅）。 SOI晶圆采用SIMOX法和晶圆键合技术生产而成，从而可以实现更薄更精确的器件层，均匀的厚度均匀和缺陷密度低等目标。可提供直径为2″、3″、4″、5″、6″和8″的SOI晶圆，可选择的宽阔电阻率范围0.001~100,000 ohm-cm，从100nm(1000Å)~300um的宽范围器件层厚度可满足众多客户独特的SOI要求。 - 5×5×5mm、双抛、超高精度（λ/20、Ra≤3Å）、Nd:YAG 0.8~1.0at.%、光学科研级市场价格是多少？
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