β-Ga2O3 Homoepitaxial Wafer Specification
| 分类 | 产品级 Production | 科研级 Research | |||
| 表面取向 | （010） | （001） | （010） | （001） | |
| 尺寸 | 10mm×15mm | 2inch/10mm×15mm | 10mm×15mm | 2inch/10mm×15mm | |
| 掺杂剂 | Fe | Sn | Fe | Sn | |
| 导电类型 | Insulating(> 1010Ω·cm) | n-type | Insulating(> 1010Ω·cm) | n-type | |
| 掺杂浓度 | ___ | 1×1018-2× 1019cm-3 | ___ | 1×1018-2× 1019cm-3 | |
| 厚度 | 0.50±0.02mm | 0.65±0.02mm | 0.70±0.10mm | 0.70±0.10mm | |
| XRD FWHM | ≤150arcsec | ≤150arcsec | ≤350arcsec | ≤350arcsec | |
| 晶型 | β-Ga2O3 | β-Ga2O3 | |||
| 厚度范围 | 0.1-5μm | 0.1-5μm | |||
| 厚度偏差 | ±5% | ±10% | |||
| 厚度均匀性 | ≤2% | ≤5% | |||
| 掺杂剂 | Si / – | Si / – | |||
| 导电类型 | n-type / UID | n-type / UID | |||
| 掺杂浓度 | 1×1017-1×1019cm-3 | 1×1017-1×1019cm-3 | |||
| 掺杂浓度偏差 | ±10% | ±15% | |||
| 掺杂浓度均匀性 | ≤5% | ≤10% | |||
| 表面粗糙度 | RMS≤0.5nm（10μm×10μm） | RMS≤3nm（10μm*10μ m） | |||
| 总缺陷密度 （孔洞） | <1cm-2 | <2cm-2 | |||
| 可用面积 （无缺陷表面 占比 1mm ×1mm area） | ≥95% | ≥90% | |||
2inch Ga2O3 Heteroepitaxial Wafer Specification
| 分类 | 产品级 Production | 科研级 Research | |
| 衬底材料 | Al2O3 | Al2O3 | |
| 直径 | φ50.8mm | φ50.8mm | |
| 表面取向 | （0001） | （0001） | |
| 厚度 | 0.43mm | 0.43mm | |
| 厚度范围 | 0.01-2μm | 0.01-2μm | |
| 厚度偏差 | ±5% | ±10% | |
| 厚度均匀性 | ≤5% | ≤10% | |
| 晶型 | β-Ga2O3 / ε-Ga2O3 | β-Ga2O3 / ε-Ga2O3 | |
| 导电类型 | (-201) / (002) | (-201) / (002) | |
| 导电类型 | UID | UID | |
| 表面粗糙度 | RMS≤5nm（10μm×10μm） | RMS≤5nm（10μm ×10μ m） | |
| 总缺陷密度 （孔洞） | <1cm-2 | <2cm-2 | |
| 可用面积 （无缺陷表面 占比 1mm ×1mm area） | ≥95% | ≥90% | |
什么是氧化镓？
氧化镓（Ga2O3）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电学和光学性能。与传统的硅基半导体相比，氧化镓衬底在高温、高电压环境下表现出更高的稳定性和效率。
氧化镓衬底的特性
- 宽禁带：氧化镓的禁带宽度约为4.8 eV，远高于硅的1.1 eV。这使得氧化镓衬底在高温和高电压应用中具有显著优势。
- 高击穿电场：氧化镓的击穿电场高达8 MV/cm，使其非常适合用于高功率电子器件。
- 热稳定性：氧化镓衬底在高温环境下仍能保持优异的电学性能，适用于极端条件下的应用。
氧化镓衬底的应用
- 高功率器件：由于氧化镓衬底具有高击穿电场和宽禁带特性，它在高功率器件如功率放大器、开关器件等方面具有广泛应用前景。
- 紫外探测器：氧化镓对紫外光具有高灵敏度，使其在紫外探测器和传感器领域具有重要应用。
- 透明导电薄膜：氧化镓衬底还可以用于制备透明导电薄膜，应用于太阳能电池和显示技术。
氧化镓衬底的制备技术
目前，氧化镓衬底的制备主要采用以下几种技术：
- 化学气相沉积（CVD）：通过气相反应在衬底上沉积氧化镓薄膜。
- 分子束外延（MBE）：在超高真空环境下，通过分子束外延生长高质量的氧化镓薄膜。
- 溶液法：通过溶液化学反应制备氧化镓纳米材料。
氧化镓衬底的未来展望
随着对氧化镓衬底研究的深入，其在电子器件中的应用前景愈发广阔。未来，氧化镓衬底有望在以下几个方面取得突破：
- 高功率电子器件：随着电动汽车和可再生能源的快速发展，对高功率电子器件的需求日益增长，氧化镓衬底将成为理想的选择。
- 光电子器件：氧化镓在紫外探测器和激光器中的应用潜力巨大，未来有望在光电子领域占据重要地位。
- 量子计算：氧化镓的优异电学性能使其在量子计算和量子通信领域具有潜在应用价值。
结论
氧化镓衬底作为一种新兴的宽禁带半导体材料，具有优异的电学和光学性能，在高功率器件、紫外探测器和透明导电薄膜等领域展现出巨大的应用潜力。随着制备技术的不断进步，氧化镓衬底有望在未来电子器件中发挥更加重要的作用。
氧化镓晶体-β-Ga2O3晶体-新型直接带隙超宽禁带半导体 氟化镁晶体 MgF2 掺镁铌酸锂晶体(MgOCLN) MgO单晶衬底——广泛应用于许多薄膜技术领域。如磁性薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜的生产
