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Dia30mm AlN单晶半导体衬底晶片

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细节图像
Dia30mm AlN单晶半导体衬底晶片
Dia30mm AlN单晶半导体衬底晶片
Dia30mm AlN单晶半导体衬底晶片
Dia30mm AlN单晶半导体衬底晶片
Dia30mm AlN单晶半导体衬底晶片

AlN模板的应用

硅基半导体技术已达到极限,无法满足未来电子设备的要求。氮化铝 (AlN) 是一种典型的第三代/第四代半导体材料,具有优异的物理和化学性能,如宽带隙,高导热性,高击穿场,高电子迁移率和耐腐蚀/抗辐射能力,是光电器件,射频 (RF) 器件,大功率/高频电子器件的理想基板,等等 ..特别是,AlN基板是UV-LED,UV探测器,UV激光器,5g高功率/高频RF器件和5g SAW/BAW器件的最佳候选者,可广泛应用于环保、电子、无线通信、印刷、生物、医疗、军事等领域,如紫外线净化/杀菌、紫外线固化、光催化,金属探测,高密度存储,医学光疗,药物发现,无线和安全通信,航空航天/深空探测等领域。

我们开发了一系列专有工艺和技术来制造高质量的AlN模板。目前,我们的OEM是全球唯一一家能够以大规模工业生产能力生产2-6英寸个AlN模板的公司,其产能为300,000件,2020年满足UVC领导的爆炸性市场需求,5g无线通信、紫外线探测器和传感器等

我们目前为客户提供标准化的10x 10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm优质氮铝单晶基板产品,并且还可以为客户提供10 20毫米非极性M面氮化铝单晶基板,或者定制非标准5毫米50.8毫米给客户抛光的氮化铝单晶基板。该产品被广泛用作UVC-LED芯片,UV探测器,UV激光器以及各种高功率/高温/高频电子器件领域的高端基板材料。

规格
模型
UTI-AlN-030B-single水晶
直径
Dia30 ± 0.5毫米
基板厚度 (µ m)
400 ± 50
方位
C轴 [0001] +/- 0.5 °
质量等级
质量等级
P级 (生产)
R级 (研究)
裂纹
<3毫米
Fwhm-2θ xrd @(0002)
<150
<300
<500
FWHM-HRXRD @(10-12)
<100
<200
<400
表面粗糙度 [5 × 5μm] (nm)
铝面 <0.5nm
N面 (背面) <1.2um
可用区域
90%
吸光度
<50
<70
<100
长度方向的第一个
{10-10} ± 5 °
台视 (µ m)
≤ 30
弓 (µ m)
≤ 30
翘曲 (µ m)
-30 ~
* 注意: 这些表征结果可能会略有不同,具体取决于所使用的设备和/或软件
公司简介
Dia30mm AlN单晶半导体衬底晶片
上海新科汇新材料有限公司
主要市场:

北美、南美、西欧、东欧、中东、非洲、全球
业务类型:
制造商、代理商、进口商、出口商、贸易公司
年销售额:
1000000-1500000
出口p.c:
80% – 90%
上海新科汇公司位于中国最好的城市上海,我们的工厂成立于
无锡市2014年。

我们专门将各种材料加工成晶片、基板和定制光学玻璃parts.com元件,广泛应用于电子、光学、光电等许多领域。我们还与许多国内外大学,研究机构和公司紧密合作,为他们的研发项目提供定制的产品和服务。
我们的愿景是通过良好的声誉与所有客户保持良好的合作关系。
常见问题
Q1: 如何获取价格并咨询产品详细信息?
A1: 通过电子邮件,Skype,微信发送查询或直接致电我们。

Q2: 你的主要产品是什么?OEM/ODM?
A2: 热界面材料、蓝宝石玻璃产品、工业模切服务等。
& OEM/ODM可用。有关详细信息,请联系销售人员。

Q3: 您的服务是什么?
A3: 24小时在线服务是我们的承诺。

问题4: 您的产品质量和质量保证政策如何?
A2: 装运前100% 全面测试,并100% 符合客户的要求。

Q4: 付款方式是什么?
A3: 电汇、西联汇款、信用证、贝宝等

Q5: 交货时间是什么时候?
A5: 通常在收到付款后20-40个工作日。但这取决于具体情况。

Q6: 您为产品使用什么包装?
A6: 出口运输的安全和标准包装 (PE薄膜盖,牛皮纸/气泡袋包裹,并包装成纸箱或
木箱)。

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