氮化铝陶瓷基板具有导热系数高、电性能好、无毒等优点。它的热膨胀系数接近硅片，是取代BeO陶瓷的理想材料。主要用于高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子器件、半导体制冷等产品中作为高性能衬底材料和封装材料。